Несимметричный pn переход это

 

 

 

 

Изучение контактных явлений на примере pn-перехода. 3) Pn(0)>nno - высокий. Несимметричным называется pn- переход, возникающий между областями акцепторного и донорного полупроводника с неодинаковыми концентрациями примесей. Вследствие различия концентраций электронов и дырок в n- и p-областях создается диффузионное движение свободных носителей через p-n-переход, выравнивающее концентрации дырок и электронов в полупроводнике. е. переход практически весь располагается в области с меньшей концентрацией (в области n), и ширина p-n-перехода d d1 d2 »d2. где pn0 и np0- концентрации неосновных носителей на границах перехода Dp и Dn Lp и Ln - соответственно коэффициенты Полупроводниковые диоды, p-n-переход, виды пробоев, барьерная емкость, диффузионная емкость.В несимметричном p-n-переходе более протяженным является заряд в слое с меньшей концентрацией примеси, т. Будем считать, что переход является несимметричным, например NA>ND. На рисунке 2.9 показано распределение концентрации носителей в несимметричном p n переходе в логарифмическом масштабе и схема p n перехода. Физический факультет Кафедра общей физики. Ток I0 с увеличением температуры растет экспоненциально, так как экспоненциально возрастает концентрация неосновных носителей заряда pn в области полупроводника n-типа, а именно pn в основном и определяет величину I0 для несимметричного перехода : pn ni2/nn » constexp Поскольку Pn>Np , то дрейфовая составляющая тока в основном определяется потоком дырок из n-п/п.Форма p-n-перехода не изменяется. Принцип действия полупроводниковых приборов объясняется свойствами так называемого электронно-дырочного перехода (p-n - перехода) - зоной раздела областей полупроводника с разным механизмами проводимости. В итоге мы получим резкий несимметричный резкий pn переход, в котором есть высоколегированная Р область и низколегированная n область, как видно на левой части рисунка 3.

2 Свойства несимметричного p-n-перехода.Несимметричный -переход: а — струтура -перехода в кружочках ионы, дырки и электроны) б — распределение потенциала. Ток через несимметричный p-n - переход создается одним типом носителей. В несимметричном p-n-переходе концентрация примесей в одной области много меньше, чем в другой.Ток через переход описывается выражением. Зонная диаграмма несимметричного p-n перехода. Электронно-дырочный переход (p-n-переход, n-p-переход), переходная область полупроводника, в которой имеет местоЕсли концентрации доноров и акцепторов равны, то переход будет симметричным, если концентрации не равны, то — несимметричным. Обозначим концентрацию основных носителей в p-n области через pp, в n- области через nn, а концентрацию неосновных носителей соответственно через np и pn соответственно. 4 Распределение электрического поля и ОПЗ в p-n переходах Симметричный и несимметричный p-n переходы. Рассмотрим несимметричный pn переход, будем считать, что концентрация акцепторов больше, чем концентрация доноров NA > ND в этом случае дляАналогично меняется концентрация основных nn(x) и неосновных pn(x) носителей в ОПЗ полупроводника n-типа.

negative — отрицательная). P-N переход: подробно простым языком. 1.2. Свойства несимметричного p-n-перехода.Несимметричный -переход: а — струтура -перехода в кружочках ионы, дырки и электроны) б — распределение потенциала. Аналогично меняется концентрация основных nn(x) и неосновных pn(x) носителей в ОПЗ полупроводника n-типа. 1. Контрольные вопросы.

2.5 Обратное смещение p-n перехода.Эмиттер. Следовательно для несимметричного перехода PN переход преимущественен в области с меньшей концентрацией примеси.Толщина несимметричного PN перехода. База. P-N переход — точка в полупроводниковом приборе, где материал N-типа и материал P-типа соприкасаются друг с другом. В используемых на практике несимметричных p-n-переходах, имеющих неодинаковые концентрации акцепторов и доноров, инжекция носит односторонний характер. Электронно-дырочный переход (pn переход). Так, на рис. База. В симметричных переходах концентрация электронов в полупроводнике n-типа nn и концентрация дырок в полупроводнике p-типа pp равны, т.е. dn/dxnp/Ln, dp/dxpn/Lp, можно записать (7.36) с учетом (7.37) в виде. Обратный ток. Образование p-n-перехода P-n-переходом называют контакт двух объектов полупроводника противоположного типа проводимости.В этом состоянии концентрации основных (nn0, pp0) и неосновных (np0, pn0) носителей связаны законом действующих масс Поскольку Pn>Np , то дрейфовая составляющая тока в основном определяется потоком дырок из n-п/п.Форма p-n-перехода не изменяется. 1.3. Условия равновесия для п/пПри подключении обратного напряжения через несимметричный p-n-переход потечёт ток, обусловленный в основном движением дырок из свойство односторонней проводимости несимметричный р-n переход. positive — положительная) и электронной (n, от англ. Вклад второго типа носителей в общий ток является несущественным. Будем считать, что переход является несимметричным, например NA>ND. рис. в базе. Дифференциальная электрическая емкость При сопоставлении формулы (14) для емкости несимметричного. 3) Pn(0)>nno - высокий. Обозначим концентрацию основных носителей в p-n области через pp, в n- области через nn, а концентрацию неосновных носителей соответственно через np и pn соответственно. 2.5 Обратное смещение p-n перехода.Эмиттер. Поскольку мы рассматриваем несимметричный переход, то имеем pn >> np и iЕр >> iЕn, а следовательно, можно приближенно записать iЕ iЕp таким образом, дрейфовый ток несимметричного p-n перехода ток обратносмещенного Свойства несимметричного p- n-перехода.Пусть концентрация дырок в области полупроводника p-типа намного выше концентрации электронов в области n-типа.И выполняется следующее условие: nn pn pp np.Равновесное состояние p-n переходаStudFiles.net/preview/1880806Рассмотрим образование несимметричного p-n перехода при идеальном контакте двух полупроводников с различным типом проводимости. p-n-переход или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. Зачем нужен несимметричный pn переход. Выясним, как изменяются условия перехода носителей через p-n-переход, когда к нему приложенаПри несимметричном p-n-переходе как прямой, так и обратный ток создается практически носителями одного типа. В несимметричном переходе п/п с высокой концентрацией основных носителей называетсяэмиттером, второй п/п называется базой. Несимметричные p-n переходы образуются между слоями с неравными концентрациями примеси. В несимметричном переходе п/п с высокой концентрацией основных носителей называетсяэмиттером, второй п/п называется базой. Поскольку Pn>Np , то дрейфовая составляющая тока в основном определяется потоком дырок из n-п/п.Форма p-n-перехода не изменяется. В первом случае p-n-переход называется симметричным, во втором - несимметричным. nn pn. На рисунке 2.9 показано распределение концентрации носителей в несимметричном p-n переходе в логарифмическом масштабе и схема p-n перехода. pn << nn и np << ppМы рассмотрели процессы в симметричном p-n-переходе. pn-переход при обратном электрическом смещении. Обозначим концентрацию основных носителей в p-n области через pp, в n- области через nn, а концентрацию неосновных носителей соответственно через np и pn соответственно. Поскольку в рассматриваемом несимметричном p-n-переходе Na>>Nд, то d1<ND. Эффект выпрямления на p-n-переходе. Напряжение лавинного пробоя. Полупроводниковый p-n- переход. 3 Энергетическая диаграмма p-n перехода. Аналогично меняется концентрация основных nn(x) и неосновных pn(x) носителей в ОПЗ полупроводника n-типа. В p-n-переходе концентрация основных носителей заряда в p- и n-областях могут быть равными или существенно различаться. Зачем и почему в диодах специально одну из областей легируют большим количеством примесей, чтобы сместить область ОПЗ в одну сторону. Поскольку Pn>Np , то дрейфовая составляющая тока в основном определяется потоком дырок из n-п/п. Потенциальные пороги вблизи p-n- перехода при прямом и обратном включении внешнего напряжения на нем.ВАХ перехода получается нелинейной, а главное несимметричной: в одну сторону переход проводит ток очень хорошо, а в другую - очень плохо. Следовательно, в несимметричных переходах инжекция носит односторонний характер.Поскольку переход является тонким, т.е. Образование несимметричного p-n перехода посредством металлургического . Нарисуйте р- n переход при прямом включении, укажите направление внешнего и внутреннего поля, полярность источника питания. 4.5. 1, а представлен несимметричный p-n - переход с эмиттером электронов. В несимметричном p-n- переходе концентрация примеси в одной из областей на два-три порядка больше, чем в другой.

Также рекомендую прочитать: